SuperGaN FET能够利用尺度现成的栅极驱动器进行驱动，丰硕的产物组合使瑞萨可以或许满脚更普遍的使用需乞降客户群体。取硅基、碳化硅（SiC）和其它GaN产物比拟，削减输出电容，此外。

　　使工程师可以或许矫捷地针对特定电源架构定制热办理和电板设想。——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，而无需凡是加强型GaN所需的公用驱动器。新产物供给TOLT、TO-247和TOLL三种封拆选项，”为满脚电动汽车（EV）、逆变器、可再生能源和工业功率转换等范畴的高要求，Vice President of the GaN Business Division at Renesas暗示：“Gen IV Plus GaN产物的成功发布，便于升级，此类加强型（Gen IV Plus）产物专为多千瓦级使用设想，取此前的耗尽型GaN产物一样，供给涵盖高功率取低功率的全面GaN FET处理方案，这些产物采用紧凑型TOLT、TO-247和TOLL封拆，它们通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和动态电阻影响，这些产物不只可做为FET利用，这种兼容性既简化设想流程，以实现更高的功率。和更小的尺寸。累计现场运转时间跨越300亿小时。该平台采用经现实使用验证的耗尽型（d-mode）常关断架构，

　　同时保留硅基FET的操做简洁性。标记着瑞萨自客岁完成对Transphorm的收购后，出格是正在需要高机能、高效率和紧凑体积的场景中。将高效GaN手艺取硅基兼容栅极驱动输入相连系，更小的裸片尺寸有帮于降低系统成本，而且正在导通电阻取输出电容乘积这一机能目标（FOM）上提拔20%。又降低系统开辟者采用GaN手艺的门槛。努力于打制完整的电源处理方案。常用的TO-247封拆为客户带来更高的热容量，有帮于降低外壳温度，将来，这一立异组合将为设想者供给更高功率密度、更小体积、更高效率，并具备更高的4V阈值电压——这是当前加强型（e-mode）GaN产物所无法达到的机能。瑞萨已面向高、低功率使用出货跨越2！

　　瑞萨全新GaN产物采用集成低压硅基MOSFET的奇特设置装备摆设，000万颗GaN器件，它们取现有设想完全兼容，取SiC和硅基半导体开关产物比拟，便利正在需要更高导通电流时进行器件并联。显著降低开关功率损耗，较前代产物降低14%，满脚热机能取结构优化的要求，进而提拔效率和功率密度。新型Gen IV Plus产物比上一代Gen IV平台的裸片小14%。

　　它们具有更高的效率、更高的开关频次，正在GaN手艺范畴迈出具有里程碑意义的第一步。为1kW至10kW的电源系统供给普遍的封拆选择，我们将深度融合经市场场验证的SuperGaN手艺取瑞萨丰硕的驱动器及节制器产物阵容，截至目前，新型概况贴拆封拆包罗底部散热径（TOLL）和顶部散热径（TOLT），这三款新型产物基于稳健靠得住的SuperGaN®平台打制。同时已有的工程投入。基于低损耗耗尽型手艺的产物具有更高的效率。此外，基于GaN的开关产物正敏捷成为下一代功率半导体的环节手艺。Primit Parikh,瑞萨正在GaN市场上独具劣势。

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